উহান বিশ্ববিদ্যালয়ের দলের নতুন গবেষণা: লাল মিনি এলইডির দক্ষতা ৩০% বৃদ্ধি পেয়েছে

সম্প্রতি, উহান বিশ্ববিদ্যালয়ের ঝো শেংজুনের দল একটি নতুন স্কটকি-কন্টাক্ট ইন্টারিনিসিক কারেন্ট ব্লকিং লেয়ার (SCBL) তৈরি করেছে, যা সক্রিয় অঞ্চলে কারেন্টের বিস্তার বৃদ্ধি করতে পারে। এবং AlGaInP লাল রঙের আলো নিষ্কাশন দক্ষতা উন্নত করতে পারে। মিনি এলইডি(লি)।

উপরের চিত্রটি (ক) ডিভাইসের কাঠামো এবং (খ) AlGaInP-এর লাল আলোর উল্লম্ব কাঠামোর উপর ভিত্তি করে উৎপাদন প্রক্রিয়া দেখায়। মিনি এলইডি SCBL সহ। (c) SCBL এবং (d) AlGaInP ভিত্তিক লাল আলোর উল্লম্ব কাঠামো মিনি LED টপ ভিউ অপটিক্যালঅণুবীক্ষণ যন্ত্রছবি।

গবেষণা নেতা শেংজুন ঝো বলেন যে দলটি SCBL তৈরির জন্য ইন্ডিয়াম টিন অক্সাইড (ITO) এবং p-GaP-এর মধ্যে স্কটকি যোগাযোগ বৈশিষ্ট্য, সেইসাথে ITO এবং p-GaP+-এর মধ্যে ওহমিক যোগাযোগ বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করেছে, যা স্থানান্তর দৈর্ঘ্য পদ্ধতি দ্বারা প্রদর্শিত হয়েছিল।

ঝো শেংজুন বলেন যে SCBL কার্যকরভাবে p ইলেক্ট্রোডের চারপাশে কারেন্টের ভিড় কমাতে পারে এবং অভিন্ন কারেন্ট ডিফিউশন বৃদ্ধি করতে পারে, যার ফলে AlGaInP লাল মিনি LED এর আলো নিষ্কাশন দক্ষতা উন্নত হয়। বর্ধিত কারেন্ট ডিফিউশন এবং আলো নিষ্কাশনের কারণে, SCBL সহ মিনি এলইডিগুলি আলোকিত তীব্রতার আরও অভিন্ন বিতরণ, উচ্চতর অপটিক্যাল আউটপুট শক্তি এবং উচ্চতর বাহ্যিক কোয়ান্টাম দক্ষতা (EQE) দেখায়।

AlGaInP লাল মিনি LED ফুল-কালার একটি গুরুত্বপূর্ণ অংশ হিসেবে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় প্রদর্শন এর উচ্চ উজ্জ্বলতা, কম শক্তি খরচ এবং দীর্ঘ পরিষেবা জীবনের কারণে।

তবে, p ইলেক্ট্রোডের চারপাশে কারেন্ট জমাট বাঁধার ফলে সক্রিয় অঞ্চলে অসম কারেন্ট বিতরণ হয়। এছাড়াও, সক্রিয় অঞ্চলে উৎপন্ন বেশিরভাগ ফোটন অস্বচ্ছ ধাতব p ইলেক্ট্রোড দ্বারা শোষিত বা প্রতিফলিত হয়, তাই AlgainP-ভিত্তিক মিনি LED এর আলো নিষ্কাশন দক্ষতা (LEE) কম।

এই সমস্যা সমাধানের জন্য, গবেষকরা AlgainP-ভিত্তিক মিনি এলইডিগুলির কারেন্ট ডিফিউশন এবং আলো নিষ্কাশন উন্নত করার জন্য SCBL চালু করেছেন। ITO এবং P-গ্যাপের মধ্যে Schottky কন্টাক্ট ব্যবহার করে, SCBL p ইলেক্ট্রোডের চারপাশে কারেন্টের ভিড় রোধ করতে পারে। অস্বচ্ছ ধাতব p ইলেক্ট্রোড দ্বারা আলোর শোষণ এবং প্রতিফলন এড়াতে P-GAP + ওহমিক কন্টাক্ট লেয়ারের মাধ্যমে কারেন্টকে সক্রিয় অঞ্চলে জোর করে প্রবেশ করানো হয়।

ফলাফলগুলি দেখায় যে SCBL ব্যবহার করে AlGaInP ভিত্তিক মিনি LED এর বাহ্যিক কোয়ান্টাম দক্ষতা (EQE) 20mA কারেন্টে SCBL ছাড়া AlGaInP ভিত্তিক মিনি LED এর তুলনায় 31.8% পর্যন্ত বৃদ্ধি করা যেতে পারে। অতএব, ভবিষ্যতে দক্ষ AlgainP-ভিত্তিক লাল মিনি LED এর ব্যাপক উৎপাদনে SCBL প্রযুক্তি প্রয়োগ করা হবে বলে আশা করা হচ্ছে।

উল্লেখ্য যে, উহান বিশ্ববিদ্যালয়ের ঝো শেংজুন দল বেশ কয়েকটি নতুন এলইডি গবেষণার ফলাফলও প্রকাশ করেছে। উদাহরণস্বরূপ, গভীর অতিবেগুনী এলইডির ক্ষেত্রে, দলটি গভীর অতিবেগুনী এলইডিতে অ্যালগান-ভিত্তিক অতি-পাতলা টানেল জংশন (26 এনএম) প্রবর্তন করেছে, যা গভীর অতিবেগুনী এলইডির ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল রূপান্তর দক্ষতা 5.5% বৃদ্ধি করেছে।

মিনি এলইডির ক্ষেত্রে, দলটি ফুল-অ্যাঙ্গেল ডিস্ট্রিবিউটেড ব্র্যাগ রিফ্লেক্টর (ডিবিআর) ব্যবহার করে নীল এবং সবুজ ফ্লিপ মিনি এলইডি চিপগুলির কর্মক্ষমতা উন্নত করেছে। ১০ এমএ ইনজেকশন কারেন্টের শর্তে, আইটিও/ডিবিআর-ভিত্তিক নীল এবং সবুজ মিনি এলইডির অপটিক্যাল আউটপুট শক্তি যথাক্রমে প্রায় ৭.৭% এবং ৭.৩% বৃদ্ধি পায়।