A nova ricerca di a squadra di l'Università di Wuhan: l'efficienza di i Mini LED rossi hè aumentata di 30%

Recentemente, a squadra di Zhou Shengjun à l'Università di Wuhan hà sviluppatu un novu stratu di bloccu di corrente intrinseca à cuntattu Schottky (SCBL), chì pò migliurà a diffusione di corrente in a regione attiva. È migliurà l'efficienza di l'estrazione di a luce di AlGaInP rossu. Mini LED(LEE).

U diagrama sopra mostra (a) a struttura di u dispusitivu, è (b) u prucessu di fabricazione basatu annantu à a struttura verticale di luce rossa di AlGaInP. Mini LED cù SCBL. (c) SCBL è (d) struttura verticale à luce rossa basata nantu à AlGaInP Mini LED vista superiore otticamicroscopiuimagine.

U capu di ricerca Shengjun Zhou hà dettu chì a squadra hà utilizatu e proprietà di cuntattu Schottky trà l'ossidu di stagnu è indiu (ITO) è p-GaP, è ancu e proprietà di cuntattu ohmicu trà ITO è p-GaP+ per custruisce u SCBL, chì hè statu dimustratu da u metudu di a lunghezza di trasferimentu.

Zhou Shengjun hà dettu chì SCBL pò alleviare efficacemente l'affollamentu di corrente intornu à l'elettrodu p è prumove una diffusione uniforme di corrente, migliurendu cusì l'efficienza di estrazione di luce di u Mini LED rossu AlGaInP. A causa di una diffusione di corrente è di una estrazione di luce migliorate, i Mini led cù SCBL mostranu una distribuzione più uniforme di l'intensità luminosa, una putenza di uscita ottica più elevata è una efficienza quantica esterna (EQE) più elevata.

U Mini LED rossu AlGaInP hè largamente utilizatu cum'è una parte impurtante di u culore pienu schermi per via di a so alta luminosità, u so bassu cunsumu energeticu è a so longa durata di serviziu.

Tuttavia, l'affollamentu di corrente intornu à l'elettrodu p provoca una distribuzione irregulare di a corrente in a regione attiva. Inoltre, postu chì a maiò parte di i fotoni generati in a regione attiva sò assorbiti o riflessi da l'elettrodu p di metallu opaco, l'efficienza di estrazione di a luce (LEE) di u Mini LED basatu annantu à AlgainP hè bassa.

Per risolve stu prublema, i circadori anu introduttu SCBL per migliurà a diffusione di corrente è l'estrazione di luce di i Mini led basati nantu à AlgainP. Usendu cuntatti Schottky trà ITO è P-gap, SCBL pò impedisce l'affollamentu di corrente intornu à l'elettrodu p. A corrente hè furzata in a regione attiva attraversu u stratu di cuntattu P-GAP + ohmicu per evità l'assorbimentu è a riflessione di a luce da l'elettrodu p metallicu opacu.

I risultati anu dimustratu chì l'efficienza quantica esterna (EQE) di un Mini LED basatu annantu à AlGaInP chì usa SCBL pò esse aumentata finu à u 31,8% à una corrente di 20 mA paragunata à un Mini LED basatu annantu à AlGaInP senza SCBL. Dunque, si prevede chì a tecnulugia SCBL serà applicata à a pruduzzione di massa di Mini LED rossi efficienti basati annantu à AlgainP in u futuru.

Hè da nutà chì a squadra Zhou Shengjun di l'Università di Wuhan hà ancu publicatu una quantità di novi risultati di ricerca LED. Per esempiu, in u campu di i LED ultravioletti prufondi, a squadra hà introduttu a giunzione di tunnel ultra-sottile basata annantu à Algan (26 nm) in u LED ultraviolettu prufondu, chì hà aumentatu l'efficienza di cunversione elettro-ottica di u LED ultraviolettu prufondu di 5,5%.

In u campu di i Mini LED, a squadra hà migliuratu e prestazioni di i chip Mini LED blu è verdi aduprendu un Riflettore Bragg Distribuitu à Angulu Completu (DBR). Sottu a cundizione di una corrente d'iniezione di 10 mA, a putenza di uscita ottica di i Mini LED blu è verdi basati annantu à ITO/DBR hè aumentata di circa 7,7% è 7,3%, rispettivamente.