Ухань университеты командасының яңа тикшеренүе: кызыл Mini LED нәтиҗәлелеге 30% ка арткан

2024-07-15

Күптән түгел Ухань университетындагы Чжоу Шэнцзюнь командасы актив өлкәдә ток диффузиясен көчәйтә алырлык яңа Шоттки-контактлы эчке токны блоклаучы катлам (SCBL) эшләде. Һәм AlGaInP кызылының яктылык чыгару нәтиҗәлелеген яхшырта ала. Мини-светодиод(LEE).

Мини LED.png

Югарыдагы диаграммада (а) җайланма структурасы һәм (б) AlGaInP'ның кызыл ут вертикаль структурасына нигезләнгән җитештерү процессы күрсәтелгән. Мини-LED SCBL белән. (c) SCBL һәм (d) AlGaInP нигезендәге кызыл ут вертикаль структурасы Мини LED өске күренеш оптикасымикроскопрәсемнәр.

Тикшеренү җитәкчесе Шэнҗун Чжоу әйтүенчә, команда SCBL төзү өчен индий калай оксиды (ITO) һәм p-GaP арасындагы Шоттки контакт үзлекләрен, шулай ук ITO һәм p-GaP+ арасындагы ом контакт үзлекләрен кулланган, бу күчерү озынлыгы ысулы белән күрсәтелгән.

Чжоу Шенҗун әйтүенчә, SCBL p электроды тирәсендәге ток тыгызлыгын нәтиҗәле рәвештә киметә һәм бердәм ток диффузиясен тәэмин итә ала, шуның белән AlGaInP кызыл Mini LED-ның яктылык чыгару нәтиҗәлелеген яхшырта ала. Ток диффузиясе һәм яктылык чыгару көчәйтелгәнлектән, SCBL белән Mini LED-лар яктылык интенсивлыгының тигезрәк бүленешен, югарырак оптик чыгыш көчен һәм югарырак тышкы квант нәтиҗәлелеген (EQE) күрсәтә.

AlGaInP кызыл Mini LED тулы төсле лампаларның мөһим өлеше буларак киң кулланыла дисплейлар югары яктылык, аз энергия куллану һәм озын хезмәт итү вакыты аркасында.

Ләкин, p электроды тирәсендә токның тыгызлануы актив өлкәдә токның тигез булмаган бүленешенә китерә. Моннан тыш, актив өлкәдә барлыкка килгән фотоннарның күбесе тонык металл p электроды тарафыннан сеңдерелгән яки чагылганлыктан, AlgainP нигезендәге Mini LEDның яктылык чыгару нәтиҗәлелеге (LEE) түбән.

Бу проблеманы хәл итү өчен, тикшеренүчеләр AlgainP нигезендәге Mini светодиодларының ток диффузиясен һәм яктылык чыгаруын яхшырту өчен SCBL технологиясен керттеләр. ITO һәм P-аралыгы арасындагы Шоттки контактларын кулланып, SCBL токның p электроды тирәсендә туплануын булдырмаска мөмкин. Ток P-GAP + ом контакт катламы аша актив өлкәгә мәҗбүр ителә, бу тонык металл p электроды тарафыннан яктылыкның сеңүен һәм чагылуын булдырмас өчен эшләнә.

Нәтиҗәләр күрсәткәнчә, SCBL кулланып AlGaInP нигезендәге Mini LED'ның тышкы квант нәтиҗәлелеген (EQE) 20 мА ток көчәнешендә SCBL кулланмыйча AlGaInP нигезендәге Mini LED'га караганда 31,8% ка кадәр арттырырга мөмкин. Шуңа күрә, SCBL технологиясе киләчәктә AlgainP нигезендәге нәтиҗәле кызыл Mini LED'ларны күпләп җитештерүдә кулланылыр дип көтелә.

Шунысын да билгеләп үтәргә кирәк, Ухань университетының Чжоу Шэнҗун командасы шулай ук берничә яңа LED тикшеренү нәтиҗәләрен бастырып чыгарды. Мәсәлән, тирән ультрафиолет светодиодлары өлкәсендә, команда тирән ультрафиолет светодиодында Алган нигезендәге ультра-нечкә туннель тоташуын (26 нм) тәкъдим итте, бу тирән ультрафиолет светодиодының электро-оптик үзгәртү нәтиҗәлелеген 5,5% ка арттырды.

Mini LED өлкәсендә, команда тулы почмаклы таратылган Bragg рефлекторын (DBR) кулланып, зәңгәр һәм яшел төстәге Mini LED чипларының эшчәнлеген яхшыртты. 10 мА инъекция тогы шартларында, ITO/DBR нигезендәге зәңгәр һәм яшел Mini LEDларның оптик чыгыш көче якынча 7,7% һәм 7,3% ка арта.