ۋۇخەن ئۇنىۋېرسىتېتى گۇرۇپپىسىنىڭ يېڭى تەتقىقاتى: قىزىل رەڭلىك كىچىك LED چىراغنىڭ ئۈنۈمى %30 ئاشتى

يېقىندا، ۋۇخەن ئۇنىۋېرسىتېتىدىكى جوۋ شېڭجۈننىڭ گۇرۇپپىسى يېڭى بىر خىل شوتكىي-ئالاقە ئىچكى توك توسۇش قەۋىتى (SCBL) نى ئىجاد قىلدى، بۇ قەۋەت ئاكتىپ رايوندا توك تارقىلىشىنى كۈچەيتەلەيدۇ. ھەمدە AlGaInP قىزىل نۇرىنىڭ نۇر چىقىرىش ئۈنۈمىنى ئاشۇرالايدۇ. كىچىك LED(LEE).

يۇقىرىدىكى دىئاگرامما (a) ئۈسكۈنە قۇرۇلمىسىنى، ۋە (b) AlGaInP نىڭ قىزىل چىراغ تىك قۇرۇلمىسىغا ئاساسلانغان ئىشلەپچىقىرىش جەريانىنى كۆرسىتىدۇ. كىچىك LED SCBL بىلەن. (c) SCBL ۋە (d) AlGaInP ئاساسلىق قىزىل چىراغ تىك قۇرۇلمىسى كىچىك LED ئۈستى كۆرۈنۈش ئوپتىكىلىقمىكروسكوپرەسىملەر.

تەتقىقات رەھبىرى شېڭجۈن جوۋنىڭ ئېيتىشىچە، بۇ تەتقىقات گۇرۇپپىسى ئىندىي تۆمۈر ئوكسىد (ITO) بىلەن p-GaP ئوتتۇرىسىدىكى شوتكىي ئالاقىلىشىش خۇسۇسىيىتىنى، شۇنداقلا ITO بىلەن p-GaP+ ئوتتۇرىسىدىكى ئوم ئالاقىلىشىش خۇسۇسىيىتىنى ئىشلىتىپ، SCBL نى قۇرغان، بۇ يۆتكىلىش ئۇزۇنلۇقى ئۇسۇلى ئارقىلىق ئىسپاتلانغان.

جوۋ شېڭجۈننىڭ ئېيتىشىچە، SCBL ئېلېكترود ئەتراپىدىكى توكنىڭ قىستىلىشىنى ئۈنۈملۈك يېنىكلىتىپ، بىردەك توك تارقىلىشىنى ئىلگىرى سۈرۈپ، AlGaInP قىزىل Mini LED نىڭ نۇر چىقىرىش ئۈنۈمىنى يۇقىرى كۆتۈرەلەيدۇ. توك تارقىلىشى ۋە نۇر چىقىرىش كۈچىنىڭ ئېشىشى سەۋەبىدىن، SCBL قوشۇلغان Mini LED لار يورۇقلۇق كۈچلۈكلۈكىنىڭ تېخىمۇ تەكشى تارقىلىشى، يۇقىرى ئوپتىكىلىق چىقىرىش قۇۋۋىتى ۋە يۇقىرى تاشقى كۋانت ئۈنۈمى (EQE) نى نامايان قىلىدۇ.

AlGaInP قىزىل Mini LED تولۇق رەڭلىك چىراغنىڭ مۇھىم بىر قىسمى سۈپىتىدە كەڭ قوللىنىلىدۇ كۆرسىتىشلەر چۈنكى ئۇنىڭ يورۇقلۇقى يۇقىرى، ئېنېرگىيە سەرپىياتى تۆۋەن ۋە ئىشلىتىش ئۆمرى ئۇزۇن.

قانداقلا بولمىسۇن، توكنىڭ p ئېلېكترودىنىڭ ئەتراپىغا يىغىلىشى ئاكتىپ رايوندا توكنىڭ تەكشى تارقىلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. بۇنىڭدىن باشقا، ئاكتىپ رايوندا ھاسىل بولغان فوتونلارنىڭ كۆپىنچىسى تۇتۇق مېتال p ئېلېكترودى تەرىپىدىن سۈمۈرۈلۈۋېلىنغاچقا ياكى قايتۇرۇلغاچقا، AlgainP ئاساسلىق Mini LED نىڭ نۇر چىقىرىش ئۈنۈمى (LEE) تۆۋەن.

بۇ مەسىلىنى ھەل قىلىش ئۈچۈن، تەتقىقاتچىلار AlgainP ئاساسلىق Mini LED لارنىڭ توك تارقىلىشى ۋە نۇر چىقىرىش ئىقتىدارىنى ياخشىلاش ئۈچۈن SCBL نى تونۇشتۇردى. ITO بىلەن P-بوشلۇقى ئوتتۇرىسىدىكى Schottky ئالاقىلىرىنى ئىشلىتىش ئارقىلىق، SCBL توكنىڭ p ئېلېكترود ئەتراپىغا يىغىلىشىنىڭ ئالدىنى ئالالايدۇ. توك P-GAP + ئوم ئالاقىلىشىش قەۋىتى ئارقىلىق ئاكتىپ رايونغا كىرىپ، تۇتۇق مېتال p ئېلېكترودنىڭ نۇرنى سۈمۈرۈۋېلىشى ۋە قايتۇرماسلىقىنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ.

نەتىجىلەر شۇنى كۆرسەتتىكى، SCBL ئىشلىتىلگەن AlGaInP ئاساسلىق Mini LED نىڭ تاشقى كۋانت ئۈنۈمى (EQE) نى 20mA توكتا SCBL ئىشلىتىلمىگەن AlGaInP ئاساسلىق Mini LED غا سېلىشتۇرغاندا %31.8 گىچە ئاشۇرغىلى بولىدۇ. شۇڭا، SCBL تېخنىكىسى كەلگۈسىدە ئۈنۈملۈك AlgainP ئاساسلىق قىزىل Mini LED نى كۆپ مىقداردا ئىشلەپچىقىرىشقا قوللىنىلىشى مۆلچەرلەنمەكتە.

شۇنى ئالاھىدە تىلغا ئېلىشقا ئەرزىيدۇكى، ۋۇخەن ئۇنىۋېرسىتېتىنىڭ جوۋ شېڭجۈن گۇرۇپپىسىمۇ بىر قاتار يېڭى LED تەتقىقات نەتىجىلىرىنى ئېلان قىلدى. مەسىلەن، چوڭقۇر ئۇلترابىنەفشە نۇرلۇق LED ساھەسىدە، بۇ گۇرۇپپا چوڭقۇر ئۇلترابىنەفشە نۇرلۇق LED غا ئالگان ئاساسلىق ئۇلترا نېپىز تونېل تۇتاشتۇرۇش ئېغىزى (26 نانومېتىر) نى كىرگۈزدى، بۇ چوڭقۇر ئۇلترابىنەفشە نۇرلۇق LED نىڭ ئېلېكترو-ئوپتىكىلىق ئۆزگەرتىش ئۈنۈمىنى %5.5 ئاشۇردى.

Mini LED ساھەسىدە، بۇ گۇرۇپپا تولۇق بۇلۇڭلۇق تارقاقلاشتۇرۇلغان Bragg رېفلېكتورى (DBR) ئارقىلىق كۆك ۋە يېشىل رەڭلىك Mini LED چىپلىرىنىڭ ئىقتىدارىنى ياخشىلىدى. 10mA ئوكۇل توكى شەرتى ئاستىدا، ITO/DBR ئاساسىدىكى كۆك ۋە يېشىل Mini LED نىڭ ئوپتىكىلىق چىقىرىش قۇۋۋىتى ئايرىم-ئايرىم ھالدا تەخمىنەن %7.7 ۋە %7.3 ئاشتى.