Nei Fuerschung vun engem Team vun der Wuhan Universitéit: D'Effizienz vun de roude Mini-LEDen ass ëm 30% eropgaang.
Viru kuerzem huet den Zhou Shengjun säin Team op der Wuhan Universitéit eng nei Schottky-Kontakt-intrinsesch Stroumblockéierungsschicht (SCBL) entwéckelt, déi d'Stroumdiffusioun an der aktiver Regioun verbessere kann. An d'Liichtextraktiounseffizienz vun AlGaInP-rout verbessert. Mini-LED(LEE).
D'Diagramm uewen weist (a) d'Struktur vum Apparat, an (b) de Fabrikatiounsprozess baséiert op der vertikaler Struktur vum roude Liicht vun AlGaInP. Mini-Led mat SCBL. (c) SCBL an (d) AlGaInP-baséiert rout Luucht vertikal Struktur Mini LED Top View OpticalMikroskopBiller.
De Fuerschungsleiter Shengjun Zhou sot, datt d'Team d'Schottky-Kontakteigenschaften tëscht Indium-Zinnoxid (ITO) a p-GaP, souwéi déi ohmsch Kontakteigenschaften tëscht ITO a p-GaP+ benotzt huet, fir den SCBL ze konstruéieren, wat mat der Transferlängtmethod demonstréiert gouf.
Den Zhou Shengjun sot, datt SCBL effektiv d'Stroumverdrängung ronderëm d'p-Elektrode reduzéiere kann an eng eenheetlech Stroumdiffusioun fördert, wouduerch d'Liichtextraktiounseffizienz vun der AlGaInP rouder Mini-LED verbessert gëtt. Wéinst der verbesserter Stroumdiffusioun a Liichtextraktioun weisen d'Mini-LEDs mat SCBL eng méi eenheetlech Verdeelung vun der Liichtintensitéit, eng méi héich optesch Ausgangsleistung an eng méi héich extern Quanteneffizienz (EQE).
AlGaInP rout Mini LED gëtt wäit verbreet als wichtegen Deel vu Vollfaarfbeliichtung benotzt Displays wéinst senger héijer Hellegkeet, sengem niddrege Energieverbrauch a senger laanger Liewensdauer.
Wéi och ëmmer, eng Stroumverdrängung ronderëm d'p-Elektrod féiert zu enger ongläicher Stroumverdeelung an der aktiver Regioun. Zousätzlech, well déi meescht Photonen, déi an der aktiver Regioun generéiert ginn, vun der opaker Metall-p-Elektrod absorbéiert oder reflektéiert ginn, ass d'Liichtextraktiounseffizienz (LEE) vun der AlgainP-baséierter Mini-LED niddreg.
Fir dëst Problem ze léisen, hunn d'Fuerscher SCBL agefouert, fir d'Stroumdiffusioun an d'Liichtentfernung vun AlgainP-baséierte Mini-LEDs ze verbesseren. Duerch d'Benotzung vu Schottky-Kontakter tëscht ITO an P-Gap kann SCBL verhënneren, datt de Stroum ronderëm d'P-Elektrode verstoppt gëtt. De Stroum gëtt duerch d'P-GAP + ohmsch Kontaktschicht an den aktiven Beräich gezwongen, fir d'Absorptioun a Reflexioun vum Liicht duerch déi opak Metall-P-Elektrode ze vermeiden.
D'Resultater hunn gewisen, datt d'extern Quanteneffizienz (EQE) vun enger AlGaInP-baséierter Mini-LED mat SCBL ëm bis zu 31,8% bei engem Stroum vun 20mA am Verglach zu enger AlGaInP-baséierter Mini-LED ouni SCBL erhéicht ka ginn. Dofir gëtt erwaart, datt d'SCBL-Technologie an Zukunft fir d'Masseproduktioun vun effizienten AlgainP-baséierte roude Mini-LEDen agesat gëtt.
Et ass derwäert ze bemierken, datt den Zhou Shengjun-Team vun der Wuhan Universitéit och eng Rei nei LED-Fuerschungsresultater publizéiert huet. Zum Beispill huet den Team am Beräich vun den déiwen ultravioletten LEDs den Algan-baséierten ultradënnen Tunnelverbindungspunkt (26 nm) an der déiwen ultravioletten LED agefouert, wat d'elektrooptesch Konversiounseffizienz vun der déiwen ultravioletten LED ëm 5,5% erhéicht huet.
Am Beräich vun de Mini-LEDs huet d'Team d'Leeschtung vu bloen a gréngen Flip-Mini-LED-Chips verbessert andeems se e Full-Angle Distributed Bragg Reflector (DBR) benotzt hunn. Ënnert der Bedingung vun 10mA Injektiounsstroum gëtt d'optesch Ausgangsleistung vu bloen a gréngen Mini-LEDs baséiert op ITO/DBR ëm ongeféier 7,7% respektiv 7,3% erhéicht.
