Тадқиқоти нави дастаи Донишгоҳи Вуҳан: самаранокии Mini LED-и сурх 30% афзоиш ёфт

Ба наздикӣ, дастаи Чжоу Шенҷун дар Донишгоҳи Вуҳан як қабати нави блокатории ҷараёни дохилии Шоттки (SCBL)-ро таҳия карданд, ки метавонад паҳншавии ҷараёнро дар минтақаи фаъол беҳтар созад. Ва самаранокии истихроҷи нури сурхи AlGaInP-ро беҳтар созад. Мини LED(ЛИ).

Диаграммаи дар боло овардашуда (а) сохтори дастгоҳ ва (б) раванди истеҳсолотро, ки бар асоси сохтори амудии чароғи сурхи AlGaInP асос ёфтааст, нишон медиҳад. Мини LED бо SCBL. (в) SCBL ва (г) Сохтори амудии чароғи сурх дар асоси AlGaInP Оптикаи намуди болоӣ Мини LEDмикроскоптасвирҳо.

Роҳбари тадқиқот Шенгҷун Чжоу гуфт, ки даста барои сохтани SCBL аз хосиятҳои тамосии Шоттки байни оксиди қалъагии индий (ITO) ва p-GaP, инчунин хосиятҳои тамосии омӣ байни ITO ва p-GaP+ истифода бурд, ки бо усули дарозии интиқол нишон дода шудааст.

Чжоу Шенҷун гуфт, ки SCBL метавонад ҷамъшавии ҷараёнро дар атрофи электроди p самаранок коҳиш диҳад ва паҳншавии якхелаи ҷараёнро таъмин кунад ва бо ин васила самаранокии истихроҷи нури Mini LED-и сурхи AlGaInP-ро беҳтар созад. Аз сабаби беҳтар шудани паҳншавии ҷараён ва истихроҷи нур, Mini LED бо SCBL тақсимоти якхелаи шиддати рӯшноӣ, қувваи баромади оптикии баландтар ва самаранокии квантии беруна (EQE)-ро нишон медиҳанд.

LED-и сурхи Mini AlGaInP ба таври васеъ ҳамчун қисми муҳими ранги пурра истифода мешавад намоишҳо аз сабаби равшании баланд, истеъмоли ками энергия ва мӯҳлати хизмати дароз.

Аммо, ҷамъшавии ҷараён дар атрофи электроди p боиси тақсимоти нобаробари ҷараён дар минтақаи фаъол мегардад. Илова бар ин, азбаски аксари фотонҳои дар минтақаи фаъол тавлидшуда аз ҷониби электроди металлии ношаффофи p ҷаббида ё инъикос мешаванд, самаранокии истихроҷи рӯшноӣ (LEE)-и Mini LED-и дар асоси AlgainP асосёфта паст аст.

Барои ҳалли ин мушкилот, муҳаққиқон SCBL-ро барои беҳтар кардани паҳншавии ҷараён ва истихроҷи нури LED-ҳои Mini дар асоси AlgainP муаррифӣ карданд. Бо истифода аз контактҳои Шоттки байни ITO ва фосилаи P, SCBL метавонад аз ҷамъшавии ҷараён дар атрофи электроди p пешгирӣ кунад. Ҷараён тавассути қабати тамосии P-GAP + омӣ ба минтақаи фаъол интиқол дода мешавад, то аз ҷаббида ва инъикоси нур аз ҷониби электроди металлии ношаффофи p пешгирӣ карда шавад.

Натиҷаҳо нишон доданд, ки самаранокии квантии беруна (EQE)-и Mini LED-и дар асоси AlGaInP бо истифода аз SCBL метавонад дар ҷараёни 20 мА то 31,8% дар муқоиса бо Mini LED-и дар асоси AlGaInP бе SCBL афзоиш ёбад. Аз ин рӯ, интизор меравад, ки технологияи SCBL дар оянда барои истеҳсоли оммавии Mini LED-и сурхи самараноки дар асоси AlgainP асосёфта татбиқ карда шавад.

Қобили зикр аст, ки дастаи Чжоу Шенҷуни Донишгоҳи Вуҳан низ як қатор натиҷаҳои нави таҳқиқоти LED-ро нашр кардааст. Масалан, дар соҳаи LED-ҳои ултрабунафши амиқ, даста пайванди тунуки ултрабунафши асоси Алганро (26 нм) дар LED-и ултрабунафши амиқ муаррифӣ кард, ки самаранокии табдили электрооптикии LED-и ултрабунафши амиқро 5,5% афзоиш дод.

Дар соҳаи Mini LED, даста бо истифода аз рефлектори пурраи тақсимшудаи Bragg (DBR), кори чипҳои Mini LED-и кабуд ва сабзро бо истифода аз рефлектори пурраи Bragg (DBR) беҳтар кард. Дар шароити ҷараёни воридкунии 10 мА, қувваи баромади оптикии Mini LED-и кабуд ва сабз дар асоси ITO/DBR мутаносибан тақрибан 7,7% ва 7,3% афзоиш меёбад.