Esasy displeý tehnologiýasynyň indiki nesli - Micro-LED barada okaň
Häzirki döwürde displeý tehnologiýasy maglumat alyş-çalşygynyň esasy usulyna öwrüldi we akylly telefonlary, VR/AR enjamlaryny, geýilýän önümleri, awtoulagdaky displeýleri, planşetleri/kompýuterleri we lazer proýeksiýasyny öz içine alýar.
Mikro LEDtehnologiýa "indiki nesil esasy displeý tehnologiýasy" hökmünde tanalýar, onuň ösüşi we senagatlaşdyrylmagy çaltlaşýar we bazar mümkinçilikleri artýar.
Ýerli öňdebaryjy kärhanalaryň ýerleşişi
“Tianma Microelectronics” kompaniýasy 2017-nji ýyldan bäri ýokary PPI, ýokary ýagtylyk we ýokary görkezijilere ünsi jemläp, Micro-LED tehnologiýasyna maýa goýýar. açyklyk displeýleriKompaniýa pudakda öňdebaryjy birnäçe Micro-LED önümlerini çykardy.
2022-nji ýylda “Tianma” dünýäde taýýar tehnologiýa bolmadyk ýagdaýynda lazer prosesini we özleşdirilen enjamlary ulanyp, doly awtomatiki önümçiligi amala aşyrmak üçin köpçülikleýin geçişden displeý modulyna çenli doly prosesli “Micro-LED” önümçilik liniýasynyň gurluşygyna maýa goýdy. Bu liniýa 2024-nji ýylyň 26-njy iýunynda ilkinji önümçiligini üstünlikli başlady, şol döwürde üpjünçilik zynjyry kompaniýalary bilen hyzmatdaşlykda 30-dan gowrak önümçilik enjamy we materiallary işlenip düzüldi.
31-nji ýanwarda BOE Huacan Optoelectronics Zhuhai Mikro LED Wafer önümçiligi we gaplama synag binýady taslamasy tamamlandy, taslama takmynan 217 gektar meýdany öz içine alýar, maýa goýumy takmynan 2 milliard ýuan, ilkinji önüm 2024-nji ýylyň sentýabr aýynda çykarylar, şu ýylyň dekabr aýynda köpçülikleýin öndürilmegi meýilleşdirilýär, geljekde ýyllyk önümçiligi 58,800-e ýeterMikro LEDwafliler.
Maglumatlara görä, 2023-nji ýylda Micro LED çipleriniň bazar möçberi takmynan 32 million ABŞ dollaryna deňdir we 2025-nji ýylda global Micro LED bazarynyň möçberiniň 2025-nji ýyla çenli 3,5 milliard ABŞ dollaryndan geçmegine we 2027-nji ýylda 10 milliard ABŞ dollaryndan has ýokary bolmagyna garaşylýar.
Micro-LED - esasy displeý tehnologiýasynyň täze nesli
Mikro-LED, mLED ýa-da μLED diýlip hem atlandyrylýar, mikron ölçegli elektrolüminesensiýa birliklerinden düzülen enjamdyr. Massa geçirijilik tehnologiýasy arkaly bu birlikler gaty ýa-da çeýe substrata geçirilip, soňra gorag gatlaklary we elektrodlar bilen gaplanyp bilner.
Mikro-LED displeý prinsipi
MicroLED tehnologiýasynyň esasy özeni onuň piksel gurluşynda ýerleşýär, her piksel gyzyl, ýaşyl we gök esasy reňk subpiksellerinden ybarat. Displeýiň ýagtylygyny, reňkini we kontrastyny takyk sazlamak üçin her subpiksel garaşsyz dolandyrylyp bilner. MicroLED displeý ulgamynda her bir LED tarapyndan çykarylýan ýagtylyk linza we aýna tarapyndan işlenip, ahyrsoňy displeý ekranynda pikselleri emele getirýär we isleg bildirilýän reňk öndürijiligini görkezmek üçin reňk süzgüji arkaly sazlanýar. Bu tehnologiýanyň artykmaçlygy onuň örän ýokary ýagtylygy, kontrasty we reňk takyklygyny üpjün etmek ukybydyr.
Mundan başga-da, Mikro LEDmassiw her bir Mikro LED-iň oňyn we negatiw polýuslaryna dikligine çarpaz ýerleşdirilen oňyn we negatiw tor elektrodlary arkaly birikdirilendir. Bu birikdiriş elektrod çyzyklaryny belli bir yzygiderlikde işjeňleşdirmek arkaly Mikro LED-iň skanerlenmegi arkaly ýanmagyna mümkinçilik berýär we şeýlelik bilen şekil görkezilişini üpjün edýär.
Mikro-LED prosesi
Mikro-LED inçe plýonka, kiçileşdirmek we massiw arkaly işlenip taýýarlanýan LED gurluşydyr we onuň ölçegi takmynan 1-100μm. Bu usul mikro-ledleri gaty ýa-da ýumşak, açyk ýa-da mat bolup bilýän zynjyr platalaryna tapgyrlaýyn geçirmekligi öz içine alýar. Soňra gorag gatlagyny we ýokarky elektrody goşmak üçin fiziki çökündi prosesi ulanylýar we ahyrsoňy ýokarky substrat Mikro-LED displeýini döretmek üçin gaplanýar.
Mikro-LED displeýler däp bolan LED displeýlerden däne, gaplama, integrasiýa prosesi, arka plan we hereketlendiriji babatda düýpli tapawutlanýar.
Mikro-LED önümçilik prosesi esasan aşakdakylary öz içine alýar:
Birinjiden, LED kristaly inçe plýonka, kiçileşdirme we mikroönümçilik prosesi tehnologiýasy arkaly massiwdir
Häzirki wagtda ýarymgeçirijileriň we çipleriň prosesiň kiçileşdirilmegi öz çägine golaýlaýar, ýöne Micro-LED prosesinde ösüş üçin köp mümkinçilik bar. Üç esasy usul ulanylýar: çip derejesinde kebşirlemek, epitaksial derejede kebşirlemek we plýonka geçirmek.
Çip bilen baglanyş (çip derejesindäki baglanyş)
Çip derejesindäki kebşirleme LED-i mikron ölçegli Mikro LED çiplerine bölmegi we olary SMT ýa-da COB tehnologiýasy arkaly displeý tagtasyna birikdirmegi öz içine alýar. Bu usul geçirijilik aralygyny sazlap biler, ýöne ony tapgyrlaýyn geçirip bolmaýar.
SMT elektron ýygnamak ulgamynda giňden ulanylýar, çip böleklerini PCB ýa-da beýleki substrat ýüzlerine gurnamak, gaýtadan akymly kebşirlemek ýa-da kebşirlemek ýaly batyrma kebşirlemek usullaryny ulanmak arkaly. Ädimler material barlagyny, ekran pastasyny, ýamasyny, guradyşyny, gaýtadan akymly lehimlemesini, arassalamagy, birikdirmegi, tolkun lehimlemesini, gaýtadan arassalamagy, barlagy we abatlamagy öz içine alýar.
COB, LED lamellerini PCB-de gönüden-göni kapsulalaşdyrýan we olary CELL birliklerine birleşdirýän kiçi aralykly displeý tehnologiýasydyr. SMD tehnologiýasy bilen deňeşdirilende, COB gaplama tehnologiýasynyň özüne mahsus artykmaçlyklary bar.
Plastinka bilen baglanyş (epitaksial kebşirleme)
Epitaksial derejede kebşirlemek, induktiw baglanyşykly plazma ionlaryny aşındyrmak (ICP) tehnologiýasy arkaly LED epitaksial inçe plýonka gatlagynda mikrometr derejesindäki Mikro-LED epitaksial inçe plýonka gurluşyny gönüden-göni emele getirmegiň usulydyr. Bu gurluşyň berk aralygy displeý pikselleriniň zerur aralygydyr.
Soňra, epitaksial gatlagy we substraty öz içine alýan LED plastinka gönüden-göni hereketlendirijiniň zynjyr platasyna birikdirilýär we substrat fiziki ýa-da himiki mehanizm arkaly aýrylýar, hereketlendirijiniň zynjyr platasynda displeý pikselini emele getirmek üçin diňe 4-5μm mikro-LED epitaksial plyonka gurluşy galýar. Bu usulyň artykmaçlygy, tapgyrlaýyn geçişi amala aşyryp bolýandygydyr, ýöne kemçiligi, geçiş aralygyny sazlap bolmaýandygydyr.
Inçe plýonka geçirmek Inçe plýonka geçirmek
LED substraty fiziki ýa-da himiki usullar bilen aýrylýar, wagtlaýyn substrat Mikro-LED plýonka gatlagyny saklamak üçin ulanylýar. Soňra mikron gurluşy induktiw taýdan baglanyşykly plazma aşındyrmasy arkaly emele getirilýär. Başga bir usul bolsa ilki aşındyryp, soňra LED substratyny aýyrmakdyr. Ötüriji zynjyrynyň görkezme nokadynyň aralygynyň talabyna laýyklykda, görkezme nokadyny ýygnamagy tamamlamak üçin Mikro-LED plýonkasy saýlama geçiriji gural bilen tapgyrlaýyn sürüji plýonkasyna geçirilýär. Bu proses arzan, görkezme plýonkasynyň ölçegi bilen çäklenmeýär we uly möçberde geçirilip bilner.
Ikinjiden, tapgyrlaýyn geçirmek - uly möçberli geçirmek tehnologiýasy
Micro-LED tehnologiýasynyň açary çipde örän kiçi çyralaryň dykyz integrasiýasydyr, bu bolsa ýörite prosesi - uly mikro-geçiriş (uly geçirijilik hem diýilýär) tehnologiýasyny talap edýär.
Bu usul kiçi TFT elektron platasynda ýüzlerçe müň esasy LED dänejiklerini takyk lehimlemekden ybaratdyr, bu bolsa örän ýokary näsazlyk derejesini talap edýär. Bu maksada ýetmek üçin dürli tehnologiýalar bar bolsa-da, massa geçirijiligi henizem köpçülikleýin öndürilmeli tehnologiýadyr.
Massa geçirijilik usullary dört kategoriýa bölünýär: takyk tutuş, öz-özüni ýygnamak, selektiw goýbermek we geçirijilik.
Ýokary reňkli we ýokary çözgütli ekranlara bazar isleginiň artmagy bilen baglylykda, Micro-LED reňkleşdirmesi ylmy-barlag işleriniň esasy ugry boldy. Häzirki wagtda esasy ornaşdyryş usullary şulary öz içine alýarRGB üç reňkli LED usuly, UV/ gök LED ýagtylyk çykarýan orta usuly we optiki linza sintez usuly.
AR/VR bazary ösmegini dowam etdirýän mahaly, däp bolan LCD we OLED displeýleriniň indi kanagatlandyryp bilmeýän ýokary öndürijilikli panellere bolan isleg artýar. Bazar öndürijiligi ýokarlandyrmak we geljekki ösüş standartlaryna laýyk gelmek üçin täze displeý tehnologiýalaryna gyssagly zerurlyk duýýar. Täze çözgüt hökmünde mikro-LED tehnologiýasy, onuň häsiýetnamalary ony bu zerurlyklary kanagatlandyrmak üçin güýçli bäsdeş edýär.
